高純氯化氫是集成電路生產中硅片蝕刻，鈍化和外延等工藝的重要材料，也可用于金屬冶煉，光導通訊和科學研究等領域。隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，對氯化氫純度的要求越來越高，對其中雜質的含量要求越來越苛刻，尤其要求嚴格限制碳氫化合物和碳氧化合物的含量，以防止硅片加工過程中c的形成。國內外對于制備高純氯化氫的方法有很多。

    20世紀70年代以前電子工業(yè)用高純氯化氫的制備一直是將濃硫酸滴加到濃鹽酸中，將其中的水吸收掉，使過飽和的氯化氫氣體析出 。20世紀8O年代以后制備方法發(fā)展到用濃硫酸與焙烘干的氯化鉀反應，生成高純氯化氫氣體，用壓縮機壓入鋼瓶中。即曼海姆法硫酸鉀聯產氯化氫氣體日。此種方法生產的氯化氫氣體純度在99．9％(質量分數)以上。

    為了測定在吸飽HCl-H2O件下的耐酸性，曾使樣品吸HCl-H2O飽和后，用塑料袋密封放置多天，再生后再測其吸水性能，吸水量仍未下降。其耐酸性能良好。A型分子篩耐酸性能差，吸附性能大幅度下降。JMT型干燥劑是一種含硅鋁比的絲光沸石型分子篩，具有良好的熱穩(wěn)定性，除在300℃前有一脫水而引起明顯吸熱峰外，在900℃前無明顯的分解峰，說明其晶格具有優(yōu)良的穩(wěn)定性。

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